This semiconductor laser comprises at least two layers of optically non-linear material as well as a quantum well at least located within one of the layers of optically non-linear material. The thicknesses and optical indices of these two layers are such that the waveguide constituted by these two layers has a modal phase matching condition for the process of parametrical fluorescence between the pump wave emitted by the quantum well and the parametrical conversion waves.

Este laser del semiconductor abarca por lo menos dos capas del material ópticamente no linear así como un pozo del quántum establecido por lo menos dentro de una de las capas de material ópticamente no linear. Los gruesos y los índices ópticos de estas dos capas son tales que la guía de onda constituida por estas dos capas tiene una condición modal el emparejar de fase para el proceso de la fluorescencia paramétrica entre la onda de la bomba emitida por el pozo del quántum y la conversión paramétrica agita.