RF MicroElectroMechanical Systems (MEMS) circuitry (15) on a first high resistivity substrate (17) is combined with circuitry (11) on a second low resistivity substrate (13) by overlapping the first high resistivity substrate (17) and MEMS circuitry (15) with the low resistivity substrate (13) and circuitry (11) with the MEMS circuitry (15) facing the second circuitry (11). A dielectric lid (19) is placed over the MEMS circuitry (15) and between the first substrate (17) and second substrate (13) with an inert gas in a gap (21) over the MEMS circuitry (15). Interconnecting conductors (25,31,35,37,39,41) extend perpendicular and through the high resistivity substrate (17) and through the dielectric lid (19) to make electrical connection with the low resistivity substrate (13).

Les circuits des systèmes de rf MicroElectroMechanical (MEMS) (15) sur un premier haut substrat de résistivité (17) sont combinés avec les circuits (11) sur un deuxième bas substrat de résistivité (13) en recouvrant le premier haut substrat de résistivité (17) et les circuits de MEMS (15) avec le bas substrat de résistivité (13) et les circuits (11) avec les circuits de MEMS (15) faisant face aux deuxièmes circuits (11). Un couvercle diélectrique (19) est placé au-dessus des circuits de MEMS (15) et entre le premier substrat (17) et le deuxième substrat (13) avec un gaz inerte dans un excédent de l'espace (21) les circuits de MEMS (15). En reliant ensemble les conducteurs (25.31.35.37.39.41) prolongez la perpendiculaire et par le haut substrat de résistivité (17) et par le couvercle diélectrique (19) pour établir le rapport électrique avec le bas substrat de résistivité (13).