A method of forming a pattern by using a photomask having both a minute aperture where a main component of transmitted light is evanescent light and an aperture where a main component of transmitted light is propagating light. The method includes the steps of forming a photoresist having a film thickness at most equal to a width of the minute aperture on a substrate to be processed, exposing the photoresist by incident light for exposure, and adjusting the film thickness of the photoresist and the conditions of the exposure so as to prevent a photoresist pattern made by the propagating light from extending to an adjacent pattern made by the evanescent light.

Un método de formar un patrón usando un photomask que tiene una abertura minuciosa donde está luz evanescente y una abertura un componente principal de la luz transmitida donde un componente principal de la luz transmitida está propagando la luz. El método incluye los pasos de formar un photoresist que tiene un espesor del film en la más igual a una anchura de la abertura minuciosa en un substrato que se procesará, exponiendo el photoresist por la luz del incidente para la exposición, y ajustando el espesor del film del photoresist y las condiciones de la exposición para evitar que un patrón del photoresist hecho por la luz el propagar extienda a un patrón adyacente hecho por la luz evanescente.

 
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