Methods and systems for monitoring semiconductor fabrication processes are provided. A system may include a stage configured to support a specimen and coupled to a measurement device. The measurement device may include an illumination system and a detection system. The illumination system and the detection system may be configured such that the system may be configured to determine multiple properties of the specimen. For example, the system may be configured to determine multiple properties of a specimen including, but not limited to, critical dimension and a thin film characteristic. In this manner, a measurement device may perform multiple optical and/or non-optical metrology and/or inspection techniques.

Des méthodes et les systèmes pour surveiller des processus de fabrication de semi-conducteur sont fournis. Un système peut inclure une étape configurée pour soutenir un spécimen et couplée à un dispositif de mesure. Le dispositif de mesure peut inclure un système de flash et un système de détection. Le système de flash et le système de détection peuvent être configurés tels que le système peut être configuré pour déterminer les propriétés multiples du spécimen. Par exemple, le système ne peut être configuré pour déterminer les propriétés multiples d'un spécimen comprenant, mais être limité à, de la dimension critique et d'une caractéristique de la couche mince. De cette manière, un dispositif de mesure peut exécuter des techniques optiques et/ou non-optiques multiples de métrologie et/ou d'inspection.