A high power LED lamp has a GaN chip placed over an AlGaInP chip. A reflector is placed between the two chips. Each of the chips has trenches diverting light for output. The chip pair can be arranged to produce white light having a spectral distribution in the red to blue region that is close to that of daylight. Also, the chip pair can be used to provide an RGB lamp or a red-amber-green traffic lamp. The active regions of both chips can be less than 50 microns away from a heat sink.

Ένας υψηλός λαμπτήρας των οδηγήσεων δύναμης τοποθετεί ένα τσιπ GaN πέρα από ένα τσιπ AlGaInP. Ένας ανακλαστήρας τοποθετείται μεταξύ των δύο τσιπ. Κάθε ένα από τα τσιπ έχει τις τάφρους που εκτρέπουν το φως για την παραγωγή. Το ζευγάρι τσιπ μπορεί να κανονιστεί για να παραγάγει το άσπρο φως που έχει μια φασματική διανομή στο κόκκινο στην μπλε περιοχή που είναι κοντά σε αυτό του φωτός της ημέρας. Επίσης, το ζευγάρι τσιπ μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να παρέχει έναν RGB λαμπτήρα ή έναν κόκκινος-ηλέκτρινος-πράσινο λαμπτήρα κυκλοφορίας. Οι ενεργές περιοχές και των δύο τσιπ μπορούν να είναι λιγότερο από 50 μικρά μακρυά από έναν νεροχύτη θερμότητας.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Resistive cross point array of short-tolerant memory cells

> Methods for modulating T cell responses by manipulating intracellular signal transduction

> (none)

~ 00087