A tungsten nucleation film is formed on a surface of a semiconductor substrate by alternatively providing to that surface, reducing gases and tungsten-containing gases. Each cycle of the method provides for one or more monolayers of the tungsten film. The film is conformal and has improved step coverage, even for a high aspect ratio contact hole.

Una película del nucleation del tungsteno es formada en una superficie de un substrato del semiconductor alternativomente proporcionando a esa superficie, reduciendo los gases y tungsteno-conteniendo los gases. Cada ciclo del método preve unos o más monolayers de la película del tungsteno. La película es conformal y ha mejorado la cobertura del paso, uniforme para un alto agujero del contacto del cociente de aspecto.