In a nonvolatile semiconductor memory device capable of the storage of multivalued data, fast writing can be realized with high reliability. In such a nonvolatile semiconductor memory device for storing multivalued information in one memory cell by setting a plurality of threshold voltages of data, writing of data having one threshold voltage that is the remotest to an erased state is performed prior to writing of the data having the other threshold voltages (write #1). Writing of the data having the other threshold voltages is then sequentially performed within groups of threshold voltages, starting from the nearer threshold voltage to the erased state within each group. When writing each of the data having the other threshold voltages, writing of the data is performed to a memory cell beginning with those groups having the remoter threshold voltages from the erased state.

In einer permanenten Halbleiterspeichervorrichtung, die zur Ablage der mehrfach bewerteten Daten fähig ist, kann schnelles Schreiben mit hoher Zuverlässigkeit verwirklicht werden. In solch einer permanenter Halbleiterspeichervorrichtung für die Speicherung der mehrfach bewerteten Informationen in einer Speicherzelle, indem man eine Mehrzahl der Schwelle Spannungen von Daten einstellt, wird das Schreiben der Daten, die eine Schwelle Spannung haben, die zu einem gelöschten Zustand das entfernt ist, vor Schreiben der Daten durchgeführt, welche die anderen Schwelle Spannungen haben (schreiben Sie # 1). Schreiben der Daten, welche die anderen Schwelle Spannungen haben, wird dann der Reihe nach innerhalb der Gruppen Schwelle Spannungen durchgeführt und fährt von der näheren Schwelle Spannung zum gelöschten Zustand innerhalb jeder Gruppe ab. Wenn man jede der Daten schreibt, welche die anderen Schwelle Spannungen haben, wird das Schreiben der Daten zu einer Speicherzelle durchgeführt, die mit jenen Gruppen anfängt, welche die entferntschwelle Spannungen vom gelöschten Zustand haben.