An air gap semiconductor structure and corresponding method of manufacture. The method includes forming a sacrificial polymer film over a substrate having metal lines thereon. A portion of the sacrificial polymer film is subsequently removed to form first spacers. A micro-porous structure layer is formed over the substrate and the metal lines and between the first spacers. A portion of the micro-porous structure layer is removed to form second spacers. The first spacers are removed by thermal dissociation to form air gaps. A dielectric layer is formed over the substrate and the metal lines and between the second spacers.

Una estructura del semiconductor del boquete de aire y un método correspondiente de fabricación. El método incluye la formación de una película sacrificatoria del polímero sobre un substrato que tiene líneas del metal sobre eso. Una porción de la película sacrificatoria del polímero se quita posteriormente a los primeros espaciadores de la forma. Una capa microporosa de la estructura se forma sobre el substrato y las líneas del metal y entre los primeros espaciadores. Una porción de la capa microporosa de la estructura se quita a los segundos espaciadores de la forma. Los primeros espaciadores son quitados por la disociación termal para formar boquetes de aire. Una capa dieléctrica se forma sobre el substrato y las líneas del metal y entre los segundos espaciadores.