Within a method for forming a patterned polyimide layer, there is first provided a substrate. There is then formed over the substrate a blanket polyamic acid layer. There is then formed upon the blanket polyamic acid layer a patterned photoresist layer. There is then hardened the patterned photoresist layer to form a hardened patterned photoresist layer. There is then patterned, while employing the hardened patterned photoresist layer as an etch mask layer, the blanket polyamic acid layer to form a patterned polyamic acid layer. Finally, there is then thermally annealed the patterned polyamic acid layer to form a patterned polyimide layer. By employing as an etch mask when forming from the blanket polyamic acid layers the patterned polyamic acid layer the hardened patterned photoresist layer, rather than an unhardened patterned photoresist layer, the patterned polyamic acid layer, and consequently also the patterned polyimide layer, are formed with enhanced dimensional control.

Binnen een methode om een gevormde polyimidelaag te vormen, er eerst verstrekt een substraat wordt. Er dan gevormd over het substraat wordt een algemene polyamic zure laag. Er dan gevormd op de algemene polyamic zure laag wordt een gevormde photoresist laag. Er dan de gevormde photoresist laag wordt vaste vorm gegeven om een vaste vorm gegeven gevormde photoresist laag te vormen. Er zijn dan gevormd, terwijl het aanwenden van de vaste vorm gegeven gevormde photoresist laag aangezien maskerlaag, de algemene polyamic zure laag ets om een gevormde polyamic zure laag te vormen. Tot slot er dan thermaal de gevormde polyamic zure laag wordt onthard om een gevormde polyimidelaag te vormen. Door als tewerk te stellen ets masker wanneer het vormen van van de algemene polyamic zure lagen de gevormde polyamic zure laag de vaste vorm gegeven gevormde photoresist laag, eerder dan een ongeharde gevormde photoresist laag, de gevormde polyamic zure laag, en bijgevolg ook wordt de gevormde polyimidelaag, gevormd met verbeterde dimensionale controle.