Within a method for fabricating a microelectronic fabrication there is first provided a substrate. There is then formed over the substrate a blanket target layer. There is then formed over the blanket target layer a patterned mask layer. There is then measured, while employing an optical method, a linewidth of the patterned mask layer to determine a patterned mask layer measured linewidth. There is then determined a deviation of the patterned mask layer measured linewidth from a patterned mask layer target linewidth. There is then etched, while employing a plasma etch method, the blanket target layer to form a patterned target layer while employing the patterned mask layer as a etch mask layer. Within the method, in conjunction the deviation of the patterned mask layer measured linewidth from the patterned mask layer target linewidth there is adjusted within the plasma etch method at least one plasma etch parameter such that a patterned target layer measured linewidth more closely approximates a patterned target layer target linewidth. Similarly, within the method, the measuring of the patterned mask layer measured linewidth while employing the optical method and the adjusting within the plasma etch method of the at least one plasma etch parameter are undertaken in-situ for each substrate within a series of substrates fabricated while employing the plasma etch method. Within a second embodiment of the present invention a blanket target layer thickness is measured while employing an optical method rather than a patterned masking layer linewidth.

Μέσα σε μια μέθοδο για μια μικροηλεκτρονική επεξεργασία παρέχεται αρχικά ένα υπόστρωμα. Διαμορφώνεται έπειτα πέρα από το υπόστρωμα ένα γενικό στρώμα στόχων. Διαμορφώνεται έπειτα πέρα από το γενικό στρώμα στόχων ένα διαμορφωμένο στρώμα μασκών. Μετριέται έπειτα, υιοθετώντας μια οπτική μέθοδο, linewidth του διαμορφωμένου στρώματος μασκών για να καθορίσει διαμορφωμένο μετρημένο στρώμα linewidth μασκών. Καθορίζεται έπειτα μια απόκλιση διαμορφωμένο μετρημένο στρώμα linewidth μασκών από διαμορφωμένο linewidth στόχων στρώματος μασκών. Χαράζεται έπειτα, χρησιμοποιώντας ένα πλάσμα χαράζει τη μέθοδο, το γενικό στρώμα στόχων για να διαμορφώσει ένα διαμορφωμένο στρώμα στόχων υιοθετώντας το διαμορφωμένο στρώμα μασκών δεδομένου ότι χαράξτε το στρώμα μασκών. Μέσα στη μέθοδο, στην κλίση η απόκλιση διαμορφωμένο μετρημένο στρώμα linewidth μασκών από διαμορφωμένο linewidth στόχων στρώματος μασκών εκεί ρυθμίζεται μέσα στο πλάσμα χαράζει τη μέθοδο τουλάχιστον που ένα πλάσμα χαράζει την παράμετρο έτσι ώστε διαμορφωμένο μετρημένο στρώμα linewidth στόχων προσεγγίζει περισσότερο διαμορφωμένο linewidth στόχων στρώματος στόχων. Ομοίως, μέσα στη μέθοδο, η μέτρηση του διαμορφωμένου στρώματος μασκών μέτρησε linewidth υιοθετώντας την οπτική μέθοδο και η ρύθμιση μέσα στο πλάσμα χαράζει τη μέθοδο του τουλάχιστον ενός πλάσματος χαράζει την παράμετρο αναλαμβάνεται επιτόπιος για κάθε υπόστρωμα μέσα σε μια σειρά υποστρωμάτων που κατασκευάζονται χρησιμοποιώντας το πλάσμα χαράζει τη μέθοδο. Μέσα σε μια δεύτερη ενσωμάτωση της παρούσας εφεύρεσης ένα γενικό πάχος στρώματος στόχων μετριέται υιοθετώντας μια οπτική μέθοδο παρά διαμορφωμένο καλύπτοντας linewidth στρώματος.