A semiconductor laser device includes a substrate, a p-type cladding layer and a n-type cladding layer provided on the substrate, and an active layer provided between the p-type cladding layer and the n-type cladding layer, having at least two barrier layers and at least two well layers, the barrier layers and the well layers being disposed alternately. Band offsets in a conduction band between the barrier layers and the well layers are provided so as to increase from the n-type cladding layer aide toward the p-type cladding layer side.

Un dispositif de laser de semi-conducteur inclut un substrat, un p-type couche de revêtement et un n-type couche de revêtement fournie sur le substrat, et une couche active fournie entre le p-type couche de revêtement et le n-type couche de revêtement, ayant au moins deux couches-barrière et au moins deux couches bonnes, les couches-barrière et les couches de puits étant disposées alternativement. Des excentrages de bande dans une bande de conduction entre les couches-barrière et les couches bonnes sont fournis afin d'augmenter du n-type aide de couche de revêtement vers le p-type côté de couche de revêtement.