A UV light sensing element has at least a first electrode and a sensor. The first electrode has a semiconductor containing at least one element selected from Al, Ga and In together with nitrogen or oxygen, and the sensor layer has a semiconductor containing at least one element selected from Al, Ga and In together with nitrogen. A longer wavelength end of an absorption spectrum for the first electrode is located at a position nearer to a shorter wavelength side than a longer wavelength end of an absorption spectrum for the sensor.

Чувствительный элемент ультрафиолетового света имеет по крайней мере первый электрод и датчик. Первый электрод имеет полупроводник содержать по крайней мере один элемент выбранный от al, Ga и внутри together with азот или кислород, и слой датчика имеет полупроводник содержать по крайней мере один элемент выбранный от al, Ga и внутри together with азот. Более длинний конец длины волны спектра абсорбциы для первого электрода расположен на положении более ближайше к более скоро стороне длины волны чем более длинний конец длины волны спектра абсорбциы для датчика.