A method for stripping photoresist and/or removing post etch residues from an exposed low k dielectric layer of a semiconductor wafer in the presence or absence of copper. The method comprises creating an oxygen free plasma by subjecting an oxygen free gas to an energy source to generate the plasma having electrically neutral and charged particles. The charged particles are then selectively removed from the plasma. The electrically neutral particles react with the photoresist and/or post etch residues to form volatile gases which are then removed from the wafer by a gas stream. The oxygen free, plasma gas composition for stripping photoresist and/or post etch residues comprises a hydrogen bearing gas and a fluorine bearing wherein the fluorine bearing gas is less than about 10 percent by volume of the total gas composition.

Un método para pelar photoresist y/o quitar residuos del grabado de pistas del poste de una capa dieléctrica baja expuesta de k de una oblea de semiconductor en la presencia o la ausencia del cobre. El método abarca crear un plasma del oxígeno sujetando un oxígeno provee de gas libremente libremente a una fuente de energía para generar el plasma que tiene eléctricamente partículas neutrales y cargadas. Las partículas cargadas entonces se quitan selectivamente del plasma. Las partículas eléctricamente neutrales reaccionan con los residuos del grabado de pistas del photoresist y/o del poste a los gases volátiles de la forma que entonces son quitados de la oblea por una corriente del gas. El oxígeno libremente, la composición del gas del plasma para el photoresist que pela y/o los residuos del grabado de pistas del poste abarca un gas del cojinete del hidrógeno y un cojinete del flúor en donde el gas del cojinete del flúor es menos que cerca de 10 por ciento al lado del volumen de la composición total del gas.