A semiconductor light-emitting device comprising a substrate having a surface having an off-angle to a crystallographic plane of low-degree surface orientation, the substrate having thereon: compound semiconductor layers including an active layer; a selective growth protective film formed on the compound semiconductor layers and having an opening at the region corresponding to a stripe region to which a current is injected; and a ridge-shaped compound semiconductor layer formed to cover the opening. This semiconductor light-emitting device with stable laser property can be manufactured in a simplified way.

Приспособление полупроводника светоиспускающое состоя из субстрата имея поверхность иметь-UGOL к кристаллографической плоскости ориентации поверхности низк-gradusa, субстрату имея thereon: слои составного полупроводника включая активно слой; пленка селективного роста защитная сформировала на слоях составного полупроводника и иметь отверстие на зоне соответствуя к зоне нашивки к течение впрыснуто; и зиг-sformirovanny1 слой составного полупроводника сформировал для того чтобы покрыть отверстие. Это приспособление полупроводника светоиспускающое с стабилизированным свойством лазера можно изготовить в упрощанной дороге.