A memory system having electromechanical memory cells and decoders is disclosed. A decoder circuit selects at least one of the memory cells of an array of such cells. Each cell in the array is a crossbar junction at least one element of which is a nanotube or a nanotube ribbon. The decoder circuit is constructed of crossbar junctions at least one element of each junction being a nanotube or a nanotube ribbon.

Een geheugensysteem dat elektromechanische geheugencellen en decoders heeft wordt onthuld. Een decoderkring selecteert minstens één van de geheugencellen van een serie van dergelijke cellen. Elke cel in de serie is een dwarsbalkverbinding minstens één element waarvan een nanotube of een nanotubelint is. De decoderkring wordt van dwarsbalkverbindingen minstens één element van elke verbinding geconstrueerd die een nanotube of een nanotubelint is.