A light source is disclosed that includes a light emitting device such as a III-nitride light emitting diode covered with a luminescent material structure, such as a single layer or multiple layers of phosphor. Any variations in the thickness of the luminescent material structure are less than or equal to 10% of the average thickness of the luminescent material structure. In some embodiments, the thickness of the luminescent material structure is less than 10% of a cross-sectional dimension of the light emitting device. In some embodiments, the luminescent material structure is the only luminescent material through which light emitted from the light emitting device passes. In some embodiments, the luminescent material structure is between about 15 and about 100 microns thick. The luminescent material structure is selectively deposited on the light emitting device by, for example, stenciling or electrophoretic deposition.

On révèle une source lumineuse qui inclut un dispositif d'émission léger tel qu'une diode luminescente d'III-NITRURE couverte de structure matérielle luminescente, telle qu'une seule couche ou des couches multiples de phosphore. Toutes les variations de l'épaisseur de la structure matérielle luminescente sont inférieur ou égal à 10% de l'épaisseur moyenne de la structure matérielle luminescente. Dans quelques incorporations, l'épaisseur de la structure matérielle luminescente est moins de 10% d'une dimension en coupe du dispositif d'émission léger. Dans quelques incorporations, la structure matérielle luminescente est le seul matériel luminescent par lequel la lumière a émis de la lumière émettant des passages de dispositif. Dans quelques incorporations, la structure matérielle luminescente est entre environ 15 et environ 100 microns d'épaisseur. La structure matérielle luminescente est sélectivement déposée sur le dispositif d'émission léger près, par exemple, marquer au poncif ou dépôt électrophorétique.