An apparatus, program product, and method of testing a silicon-on-insulator (SOI) static random access memory (SRAM) introduce switching history effects to a memory cell during testing to stress the memory cell such that a reliable determination of stability may be made. Stress is applied to a memory cell through the use of a bitline precharge stress operation, which utilizes the bitline pairs coupled to a memory cell to attempt to flood the memory cell with charge and thereby attempt to cause the memory cell to unexpectedly switch state. The bitline precharge stress operation is performed immediately after the memory cell has been switched to one state after being maintained in an opposite state for a length of time that is sufficient to introduce switching history effects to the memory cell. While a bitline precharge operation may be implemented separate from any write operation, the bitline precharge stress operation may also be incorporated into a write operation through delaying the deassertion of the wordline that occurs in a conventional write operation until after initiation of the bitline precharge operation that conventionally occurs near the end of such a write operation.

Μια συσκευή, ένα προϊόν προγράμματος, και μια μέθοδος μια μνήμη πρόσβασης πυριτίων επί μονωτικού (SOI) στατική τυχαία (SRAM) εισάγουν τα αποτελέσματα ιστορίας μετατροπής σε ένα κύτταρο μνήμης κατά τη διάρκεια της δοκιμής για να τονίσουν το κύτταρο μνήμης έτσι ώστε ένας αξιόπιστος προσδιορισμός της σταθερότητας μπορεί να γίνει. Η πίεση εφαρμόζεται σε ένα κύτταρο μνήμης μέσω της χρήσης μιας precharge bitline λειτουργίας πίεσης, η οποία χρησιμοποιεί τα ζευγάρια bitline που συνδέονται με ένα κύτταρο μνήμης για να προσπαθήσουν να πλημμυρίσει το κύτταρο μνήμης με τη δαπάνη και με αυτόν τον τρόπο να προσπαθήσει να αναγκάσει το κύτταρο μνήμης για να μεταστρέψει απροσδόκητα το κράτος. Η precharge bitline λειτουργία πίεσης εκτελείται αμέσως αφότου έχει μεταπηδήσει το κύτταρο μνήμης σε ένα κράτος μετά από να διατηρηθεί σε ένα αντίθετο κράτος για ένα χρονικό διάστημα που είναι επαρκές για να εισαγάγει τα αποτελέσματα ιστορίας μετατροπής στο κύτταρο μνήμης. Ενώ μια precharge bitline λειτουργία μπορεί να εφαρμοστεί χωριστός από οποιουσδήποτε γράψτε τη λειτουργία, η precharge bitline λειτουργία πίεσης μπορεί επίσης να ενσωματωθεί γράφει τη λειτουργία μέσω της καθυστέρησης του deassertion του wordline που εμφανίζεται σε έναν συμβατικό γράφει τη λειτουργία μέχρι γράφει η έναρξη της precharge bitline λειτουργίας που εμφανίζεται συμβατικά κοντά στο τέλος του ενός τέτοιου τη λειτουργία.