A light-emitting device comprises a substrate, electrical terminals disposed on a top side of the substrate, and a light-emitting semiconductor device disposed above the substrate. The light-emitting semiconductor device has a bottom side oriented to face toward the top side of the substrate. Electrodes are disposed on the bottom side of the light-emitting semiconductor device and electrically connected to the terminals on the substrate. A glass layer is arranged in a path of output light emitted by the light-emitting semiconductor device. The glass layer contains fluorescent material that converts at least a portion of the output light to converted light having a wavelength different from a wavelength of the output light. The fluorescent material may include SrS:Eu.sup.2+ that emits red light and (Sr, Ba, Ca)Ga.sub.2 S.sub.4 :Eu.sup.2+ that emits green light.

Eine lichtemittierende Vorrichtung enthält ein Substrat, elektrische Anschlüß, die auf einer oberen Seite des Substrates abgeschaffen werden, und ein lichtemittierendes Halbleiterelement, das über dem Substrat abgeschaffen wird. Das lichtemittierende Halbleiterelement hat eine untere Seite, die Gesicht zur oberen Seite des Substrates orientiert wird. Elektroden werden auf der unteren Seite des lichtemittierenden Halbleiterelements abgeschaffen und angeschlossen elektrisch an die Anschlüß auf dem Substrat. Eine Glasschicht wird in einem Weg des Ausgang Lichtes ausgestrahlt durch das lichtemittierende Halbleiterelement geordnet. Die Glasschicht enthält Leuchtstoffmaterial, das mindestens einen Teil des Ausgang Lichtes in das umgewandelte Licht umwandelt, das eine Wellenlänge hat, die zu einer Wellenlänge des Ausgang Lichtes unterschiedlich ist. Das Leuchtstoffmaterial kann SrS:Eu.sup.2+ mit einschließen, das rotes Licht ausstrahlt und (Sr, Ba, Ca)Ga.sub.2 S.sub.4:Eu.sup.2+, das grünes Licht ausstrahlt.