A light-emitting device includes: a semiconductor structure formed on one side of a substrate, the semiconductor structure having a plurality of semiconductor layers and an active region within the layers; and first and second conductive electrodes contacting respectively different semiconductor layers of the structure; the substrate comprising a material having a refractive index n>2.0 and light absorption coefficient .alpha., at the emission wavelength of the active region, of .alpha.>3 cm.sup.-1. In a preferred embodiment, the substrate material has a refractive index n>2.3, and the light absorption coefficient, .alpha., of the substrate material is .alpha.<1 cm.sup.-1.

Un dispositivo luminescente include: una struttura a semiconduttore ha formato da un lato di un substrato, la struttura a semiconduttore che ha una pluralità di strati a semiconduttore e una regione attiva all'interno degli strati; ed elettrodi in primo luogo ed in secondo luogo conduttivi che si mettono in contatto con rispettivamente gli strati differenti a semiconduttore della struttura; il substrato che contiene un materiale che ha un indice di rifrazione n 2.0 e alpha. di coefficente di assorbimento della luce, alla lunghezza d'onda dell'emissione della regione attiva, di alpha. 3 cm.sup.-1. In un metodo di realizzazione preferito, il materiale del substrato ha un indice di rifrazione la n 2.3 ed il coefficente di assorbimento della luce, alpha., del materiale del substrato è alpha.