An active matrix type liquid-crystal display device of IPS mode has its aperture ratio enhanced, thereby to realize an image display which has a wide angle of vision and which is clear and bright. A pixel portion (in FIG. 2) in the liquid-crystal display device comprises a TFT (115) which includes a semiconductor film formed over a substrate, and gate electrodes formed on a first insulating layer, a gate wiring line (104) which is formed on the first insulating layer, a common wiring line (113) which crosses the gate wiring line (104) through a second insulating layer, a pixel electrode (112) which is formed on the second insulating layer and which is connected with the TFT (115) of the pixel portion, a signal wiring line (106) which is formed so as to underlie the common wiring line (113) through the second insulating layer, and a connecting electrode (111) which is formed on the second insulating layer. The pixel electrode (112) and the common wiring line (113) are arranged so as to generate an electric field parallel to the plane of the substrate, and the signal wiring line (106) and the semiconductor film are connected through the connecting electrode (111).

Eine aktive Matrixart Flüssigkristall-Sichtanzeige Vorrichtung des IPS Modus hat sein erhöhtes Blendenöffnung Verhältnis, um eine Bildanzeige dadurch zu verwirklichen, die ein Weitwinkel des Anblicks hat und die klar und hell ist. Ein Pixelteil (in FIG. enthält 2) in der Flüssigkristall-Sichtanzeige Vorrichtung ein TFT (115) das einen Halbleiterfilm miteinschließt, der über einem Substrat gebildet wird, und die Gate-Elektroden, die auf einer ersten Isolierschicht, eine Gatterverdrahtung Linie gebildet werden (104) die auf der ersten Isolierschicht gebildet wird, eine allgemeine Verdrahtung Linie (113) die die Gatterverdrahtung Linie (104) durch eine zweite Isolierschicht kreuzt, eine Pixelelektrode (112) die auf der zweiten Isolierschicht gebildet wird und die mit dem TFT (115) des Pixelteils angeschlossen wird, eine Signalverdrahtung Linie (106) die gebildet wird, damit zugrunde liegen die allgemeine Verdrahtung Linie (113) durch die zweite Isolierschicht und eine anschließende Elektrode (111) die auf der zweiten Isolierschicht gebildet wird. Die Pixelelektrode (112) und die allgemeine Verdrahtung Linie (113) werden, um ein elektrisches zu erzeugen Ähnlichkeit zur Fläche des Substrates auffangen Sie und die Signalverdrahtung Linie (106) und der Halbleiterfilm werden angeschlossen durch die anschließende Elektrode (111) geordnet.