A method and apparatus for making an integrated circuit takes advantage of both polarized and phase shifted light in order to achieve a fine feature. The feature on the integrated circuit is obtained by exposing a first region to light that has a first polarization state, exposing a second portion of the wafer to polarized light in the first polarization state but which is also phase shifted about 180 degrees. A region between the first and second region may be unexposed to light. The region between the first and the second region is the position of the fine feature. In areas where the first region and the second region need to be joined together but no feature is intended to be formed, there is a third region between the first and second regions which is exposed to polarized light that has a second polarization state which is orthogonal to that of the polarized light which exposes the first and second regions. The result is that the boundary between either the first or second region and the third region is fully exposed. Thus there is no artifact or extra feature formed in this boundary area between the first and second regions. Masks are made with corresponding regions to the first, second, and third regions so that the light in these polarized and phase shifted states is properly provided to the integrated circuit.

Une méthode et un appareil pour faire un circuit intégré tire profit lumière polarisée et par déphasage afin de réaliser un dispositif fin. Le dispositif sur le circuit intégré est obtenu en exposant une première région à la lumière qui a un premier état de polarisation, exposant une deuxième partie de la gaufrette à la lumière polarisée dans le premier état de polarisation mais qui est également le déphasage environ 180 degrés. Une région entre la première et deuxième région peut être non exposée pour s'allumer. La région entre la première et la deuxième région est la position du dispositif fin. Dans les secteurs où la première région et la deuxième nécessité de région d'être joint ensemble mais aucun dispositif n'est prévue pour être formée, il y a une troisième région entre les premières et deuxièmes régions qui est exposé à la lumière polarisée qui a un deuxième état de polarisation qui est orthogonal à celui de la lumière polarisée qui expose les premières et deuxièmes régions. Le résultat est que la frontière entre la première ou deuxième région et la troisième région est entièrement exposée. Ainsi il n'y a aucun objet façonné ou dispositif supplémentaire formé dans ce secteur de frontière entre les premières et deuxièmes régions. Des masques sont faits avec des régions correspondantes à la première, en second lieu, et aux troisième régions de sorte que la lumière dans les états polarisés et par déphasage de ceux-ci soit correctement fournie au circuit intégré.