To simplify a method for manufacturing a memory device having a multiplicity of MRAM cells in a crossing area of conductor elements, a method for manufacturing a semiconductor circuit system, in particular, a memory device or the like, having a plurality of memory cells includes the step of structuring each of the memory elements simultaneously with the structuring of the first and second conductor elements.

Um eine Methode für die Produktion eines größtintegrierten Speicherbauelements zu vereinfachen, das eine Vielfältigkeit der MRAM Zellen in einem Überfahrtbereich der Leiterelemente hat, schließt eine Methode für die Produktion eines Halbleiterstromkreissystems, insbesondere, des größtintegrierten Speicherbauelements oder der dergleichen, eine Mehrzahl der Speicherzellen habend den Schritt von jedes der Gedächtniselemente gleichzeitig strukturieren mit der Strukturierung der ersten und zweiten Leiterelemente ein.