A semiconductor memory device assembled in a flip chip package includes a memory cell array divided into subarrays arranged in matrix form, and a peripheral circuit area and a pad area formed in middle sections of the subarray matrix. The pad area includes pads arranged at the same pitches as those of the subarrays, and a signal connecting the peripheral circuit area and each of the subarrays is linearly formed so as to pass between the pads. The variations of delay time of signals supplied to the subarrays are avoided and the transmission time of signals is kept constant, thereby achieving a high-speed operation.

Een apparaat van het halfgeleidergeheugen dat in een pakket van de tikspaander wordt geassembleerd omvat een serie van de geheugencel dat in geschikte subarrays wordt verdeeld in matrijsvorm, en een randkringsgebied en een stootkussengebied dat in middensecties van de subarray matrijs wordt gevormd. Het stootkussengebied omvat stootkussens dat bij de zelfde hoogten worden geschikt zoals die van subarrays, en een signaal dat het randkringsgebied verbindt en elk van subarrays wordt lineair gevormd om tussen de stootkussens over te gaan. De variaties van vertragingstijd van worden signalen die aan subarrays worden geleverd vermeden en de transmissietijd van signalen wordt gehouden constant, daardoor bereikend een hoge snelheidsverrichting.