The present invention provides a surface emitting semiconductor laser, comprising: a semiconductor substrate having sequentially layered thereon a lower multi-layer mirror, an active layer region, and an upper multi-layer mirror that, together with the lower multi-layer mirror, contributes to the formation of a cavity; an upper electrode disposed on an upper layer of the upper multi-layer mirror and provided with an aperture that forms an emission region of a laser beam generated at the active layer region; and a current confinement portion disposed between the upper electrode and the lower multi-layer mirror and provided with an aperture that forms a current path; wherein an aperture diameter of the upper electrode and an aperture diameter of the current confinement portion are determined such that a difference between an optical loss of the cavity in a higher-order lateral mode of the laser beam and an optical loss of the cavity in a fundamental lateral mode of the laser beam becomes a value in the vicinity of a maximum value, and the higher-order lateral mode is suppressed, and at least one of the aperture formed in the upper electrode and the aperture of the current confinement portion is formed into a two-fold symmetrical configuration having long and short axes with respect to arbitrary two axial directions orthogonal to each other in a plane.

Η παρούσα εφεύρεση παρέχει μια επιφάνεια εκπέμποντας το λέιζερ ημιαγωγών, περιλαμβάνοντας: ένα υπόστρωμα ημιαγωγών διαδοχικά που έχει βάλει επ'αυτού έναν χαμηλότερο πολυστρωματικό καθρέφτη, μια ενεργό περιοχή στρώματος, και έναν ανώτερο πολυστρωματικό καθρέφτη σε στρώσεις που, μαζί με το χαμηλότερο πολυστρωματικό καθρέφτη, συμβάλλει στο σχηματισμό μιας κοιλότητας ένα ανώτερο ηλεκτρόδιο που διατίθεται σε ένα ανώτερο στρώμα του ανώτερου πολυστρωματικού καθρέφτη και που παρέχεται ένα άνοιγμα που διαμορφώνει μια περιοχή εκπομπής μιας ακτίνας λέιζερ που παράγεται στην ενεργό περιοχή στρώματος και μια τρέχουσα μερίδα περιορισμού που διατίθεται μεταξύ του ανώτερου ηλεκτροδίου και του χαμηλότερου πολυστρωματικού καθρέφτη και που παρέχεται ένα άνοιγμα που διαμορφώνει μια τρέχουσα πορεία όπου μια διάμετρος ανοιγμάτων του ανώτερου ηλεκτροδίου και μια διάμετρος ανοιγμάτων της τρέχουσας μερίδας περιορισμού καθορίζονται έτσι ώστε μια διαφορά μεταξύ μιας οπτικής απώλειας της κοιλότητας σε έναν πλευρικό τρόπο υψηλός-διαταγής της ακτίνας λέιζερ και μιας οπτικής απώλειας της κοιλότητας σε έναν θεμελιώδη πλευρικό τρόπο της ακτίνας λέιζερ γίνεται μια αξία κοντά σε μια μέγιστη αξία, και ο πλευρικός τρόπος υψηλός-διαταγής καταστέλλεται, και τουλάχιστον ένα από το άνοιγμα που διαμορφώνονται στο ανώτερο ηλεκτρόδιο και το άνοιγμα της τρέχουσας μερίδας περιορισμού διαμορφώνεται σε μια διπλή συμμετρική διαμόρφωση που έχει τους μακροχρόνιους και σύντομους άξονες όσον αφορά αυθαίρετες δύο αξονικές κατευθύνσεις ορθογώνιες η μια στην άλλη σε ένα αεροπλάνο.