Disclosed is a Group III nitride compound semiconductor light-emitting element formed of Group III nitride compound semiconductor layers, including a multi-layer containing light-emitting layers; a p-type semiconductor layer; and an n-type semiconductor layer, wherein the multi-layer includes a multiple quantum barrier-well layer containing quantum-barrier-formation barrier layers formed from a Group III nitride compound semiconductor and quantum-barrier-formation well layers formed from a Group III nitride compound semiconductor, the barrier layers and the well layers being laminated alternately and cyclically, and a plurality of low-energy-band-gap layers which emit light of different wavelengths; and the multiple quantum barrier-well layer is provided between the low-energy-band-gap layers.

Αποκαλύπτεται μια ομάδα ΙΙΙ εκπέμπον φως στοιχείο ημιαγωγών νιτριδίων σύνθετο που διαμορφώνεται της ομάδας ΙΙΙ τα σύνθετα στρώματα ημιαγωγών νιτριδίων, συμπεριλαμβανομένων πολυστρωματικών περιεχόντων εκπεμπόντων φως στρωμάτων ένα στρώμα ημιαγωγών π-τύπων και ένα στρώμα ημιαγωγών ν-τύπων, όπου ο πολυστρωματικός περιλαμβάνει ένα πολλαπλάσιο κβαντικό εμπόδιο-καλά στρώμα που περιέχει τα στρώματα εμποδίων κβαντικός-εμπόδιο-σχηματισμού διαμόρφωσε από μια ομάδα ΙΙΙ τα σύνθετα στρώματα ημιαγωγών και κβαντικός-εμπόδιο-σχηματισμού νιτριδίων καλά που διαμορφώθηκαν από μια ομάδα ΙΙΙ το σύνθετο ημιαγωγό νιτριδίων, τα στρώματα εμποδίων και τα στρώματα φρεατίων που τοποθετούνται σε στρώματα διαδοχικά και κυκλικά, και μια πολλαπλότητα των στρωμάτων χαμηλός-ενέργεια-ταινία-χάσματος που εκπέμπουν το φως των διαφορετικών μηκών κύματος και το πολλαπλάσιο κβαντικό εμπόδιο-καλά στρώμα παρέχεται μεταξύ των στρωμάτων χαμηλός-ενέργεια-ταινία-χάσματος.