Energy of a laser beam with which a non-single crystalline semiconductor film is irradiated to be annealed is uniformly distributed. The laser beam is obtained from a solid-state laser such as a YAG laser which can easily cause interference in an optical system based on the conventional method of simply dividing and combining laser beams, but which can be maintained easily at a low cost in comparison with excimer lasers. A solid-state laser can oscillate to form a laser beam by aligning planes of polarization. Two laser beams having polarization directions independent of each other are formed by using a .lambda./2 plate, and a plurality of laser beams are further formed by a stepped quartz block to travel over different optical path lengths. These laser beams are combined into one on or in the vicinity or an irradiation plane by an optical system, thereby forming a uniform laser beam in which interference is effectively limited and the uniformity of energy distribution is high.

Энергия лазерныйа луч с нон-odinocna4 кристаллическая пленка полупроводника облучена быть обжженным равномерно распределена. Лазерныйа луч получен от полупроводникового лазера such as лазер YAG могут легко причинить взаимодействие в оптически системе основанной на обычном методе просто разделять и совмещать лазерныйа луч, но который смогите быть поддержано легко на низкой цене in comparison with лазеры excimer. Полупроводниковый лазер может осциллировать для того чтобы сформировать лазерныйа луч путем выравнивать плоскости поляризации. 2 лазерныйа луч имея направления поляризации независимо себя сформированы путем использование плиты lambda./2, и множественность лазерныйа луч более добавочно сформирована шагнутым блоком кварца для того чтобы переместить над по-разному оптически длинами курса. Эти лазерныйа луч совмещены в одно на или в плоскости близость или облучением оптически системой, таким образом формировать лазерныйа луч формы в котором взаимодействие эффективно ограничено и единообразие распределения энергии высок.