An implantable medical device having a dual cell power source powering a
high-power output circuit and a low-power control circuit. The power
source includes a first, high-rate cell and a second, lower-rate cell
having a rate capability less than a rate capability of the first,
high-rate cell. The first and second cells are electrically connected to
the output circuit and control circuit by circuitry. In one embodiment,
the circuitry connects the first and second cells in parallel to the
output circuit and the control circuit, and includes a switching circuit
for selectively uncoupling the first, high-rate cell from the control
circuit during a transient high power pulse. In another embodiment, the
first and second cells are formed within a single case and are connected
in parallel to the output circuit and the control circuit. In another
embodiment, the high-rate cell is anode limited, characterized by a rate
capability exhibiting minimal dependence on time up to a pre-selected
voltage-based ERI at which at least 40 percent of the cathode is consumed.
Implantable медицинское приспособление имея двойной источник питания клетки привести высокомощную цепь выхода и малоэнергичную цепь в действие управления. Источник питания вклюает первое, клетку высок-tarifa и секунду, клетка низк-tarifa имея возможность тарифа более менее чем возможность первого, клетка тарифа высок-tarifa. Первые и вторые клетки электрически соединены к цепи выхода и цепи управления сетями. В одно воплощение, сети подключают первые и вторые клетки параллельно к цепи выхода и цепи управления, и вклюают цепь переключения для селективно расцеплять первое, клетка высок-tarifa от цепи управления во время переходного ИМПА ульс высокой силы. В другом воплощении, первые и вторые клетки сформированы внутри одиночный случай и подключены параллельно к цепи выхода и цепи управления. В другом воплощении, клеткой высок-tarifa будет анод ограничиваемый, после того как она охарактеризована возможностью тарифа exhibiting минимальная зависимость на времени до заранее выбранного напряжени тока-osnovannogo ERI на котором по крайней мере уничтожен 40 процентов катода.
