A semiconductor device having a thyristor-based memory device exhibits
improved stability under adverse operating conditions related to
temperature, noise, electrical disturbances and light. In one particular
example embodiment of the present invention, a semiconductor device
includes a thyristor-based memory device that uses a shunt that effects a
leakage current in the thyristor. The thyristor includes a
capacitively-coupled control port and anode and cathode end portions. Each
of the end portions has an emitter region and an adjacent base region. In
one implementation, the current shunt is located between the emitter and
base region of one of the end portions of the thyristor and is configured
and arranged to shunt low-level current therebetween. In connection with
an example embodiment, it has been discovered that shunting current in
this manner improves the ability of the device to operate under adverse
conditions that would, absent the shunt, result in inadvertent turn on,
while keeping the standby current of the memory device to an acceptably
low level.
Un dispositivo a semiconduttore che ha un dispositivo di memoria tiristore-basato esibisce la stabilità migliorata nelle condizioni di gestione avverse relative alla temperatura, al rumore, alle dispersioni elettriche ed alla luce. In un metodo di realizzazione particolare di esempio di presente invenzione, un dispositivo a semiconduttore include un dispositivo di memoria tiristore-basato che usa uno shunt che effettua una corrente di perdita nel tiristore. Il tiristore include un orificio capacitively-accoppiato di controllo e le parti terminali del catodo e dell'anodo. Ciascuna delle parti terminali ha una regione dell'emettitore e una regione bassa adiacente. In un'esecuzione, lo shunt corrente è situato fra l'emettitore e la regione della base di una delle parti terminali del tiristore ed è configurato ed organizzato derivare la corrente a basso livello therebetween. In relazione ad un incorporamento di esempio, è stato scoperto che la corrente di smistamento in questo modo migliora la capacità del dispositivo di funzionare nelle circostanze avverse che, assente lo shunt, provoca eventuale si gira sopra, mentre mantiene la corrente standby del dispositivo di memoria verso un livello passabilmente basso.
