A high efficiency optical interconnect (OI) deposited directly on a silicon based IC by a low temperature process that utilizes a heterogeneous crystalline structure of a III-V compound material to convert light pulses into electrical signals. The high efficiency is established by pulsing the light beams with a shorter duration than the life time of the generated carriers and by reducing the structural volume and consequently the internal capacitance of the III-V compound to a functional height of approximately 1 micron. The analog MSM characteristic of the OI is bypassed by differential two-beam signal processing, wherein the intensity difference of two synchronous light beams is transformed in two parallel OI's into two electrical signals that compensate in a central node. The resulting polarity in the node switches either a PMOS or a NMOS transistor, which connect either a positive or negative voltage to the output node.

Una interconexión óptica de la eficacia alta (OI) depositada directamente en un silicio basó IC por un proceso de la baja temperatura que utiliza una estructura cristalina heterogénea de un material compuesto de III-V para convertir pulsos ligeros en señales eléctricas. La eficacia alta es establecida pulsando los rayos de luz con una duración más corta que la época de la vida de los portadores generados y reduciendo el volumen estructural y por lo tanto la capacitancia interna del compuesto de III-V a una altura funcional de aproximadamente 1 micrón. El MSM análogo característico del OI es puenteado por el proceso de señal diferenciado de la dos-viga, en donde la diferencia de la intensidad de dos rayos de luz síncronos se transforma en dos OI paralelos en dos señales eléctricas que compensen en un nodo central. La polaridad que resulta en el nodo cambia un PMOS o un transistor del NMOS, que conectan un voltaje positivo o negativo con el nodo de la salida.