Photoresist monomers, photoresist polymers prepared therefrom, and photoresist compositions using the polymers are disclosed. More specifically, photoresist polymers comprising a photoresist monomer containing fluorine-substituted benzylcarboxylate represented by Formula 1, and a composition comprising the polymer are disclosed. The photoresist composition has excellent etching resistance, heat resistance and adhesiveness, and can be developed in aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution. And, the present photoresist composition is suitable to form a fine pattern using deep ultraviolet light source such as VUV (157 nm), since the composition has low light absorbance at 193 nm and 157 nm wavelength. ##STR1## wherein, X.sub.1, X.sub.2, R.sub.1, l and m are defined in the specification.

Des monomères de vernis photosensible, les polymères de vernis photosensible préparés de là, et les compositions en vernis photosensible employant les polymères sont révélés. Plus spécifiquement, des polymères de vernis photosensible comportant un monomère de vernis photosensible contenant le benzylcarboxylate fluor-substitué représenté par Formula 1, et une composition comportant le polymère sont révélés. La composition en vernis photosensible a l'excellente résistance gravure à l'eau-forte, la résistance thermique et l'adhérence, et peut être développée dans la solution aqueuse de l'hydroxyde de tetramethylammonium (TMAH). Et, la composition actuelle en vernis photosensible convient pour former un modèle fin en utilisant la source profonde de la lumière UV telle que VUV (157 nm), puisque la composition a l'absorbance de basse lumière à 193 nm et à longueur d'onde de 157 nm. ## du ## STR1 où, X.sub.1, X.sub.2, R.sub.1, l et m sont définis dans les spécifications.