To provide a TFT that can operate at a high speed by forming a crystalline semiconductor film while controlling the position and the size of a crystal grain in the film to use the crystalline semiconductor film for a channel forming region of the TFT. Instead of a metal or a highly heat conductive insulating film, only a conventional insulating film is used as a base film to introduce a temperature gradient. A level difference of the base insulating film is provided in a desired location to generate the temperature distribution in the semiconductor film in accordance with the arrangement of the level difference. The starting point and the direction of lateral growth are controlled utilizing the temperature distribution.

Ein TFT zur Verfügung stellen, das an einer großen Geschwindigkeit funktionieren kann, indem es bildet einen kristallenen Halbleiterfilm beim Steuern der Position und der Größe eines Kristallkornes im Film, um den kristallenen Halbleiterfilm für eine Führung zu benutzen, die Region des TFT bildet. Anstelle anstelle einem Metall oder von einem in hohem Grade leitenden isolierenden Film der Hitze nur ein herkömmlicher isolierender Film wird wie ein niedriger Film benutzt, um eine Temperatursteigung vorzustellen. Ein Niveauunterschied des niedrigen isolierenden Filmes wird in einer gewünschten Position zur Verfügung gestellt, um die Temperaturverteilung im Halbleiterfilm in Übereinstimmung mit der Anordnung für den waagerecht ausgerichteten Unterschied zu erzeugen. Der Ausgangspunkt und die Richtung des seitlichen Wachstums sind kontrolliert, die Temperaturverteilung verwendend.