A tunneling magnetoresistive device comprises an insulating barrier layer, and at least two ferromagnetic layers provided on the same plane of the layer. The insulating barrier layer can be initially formed, so that when a metal layer is oxidized to form the insulating barrier layer, it is unnecessary to pay care to the influence of oxidation on the ferromagnetic layers. The insulating barrier layer can be formed in large thickness, thereby suppressing defects, such as pinholes, from occurring. Thus, a tunneling magnetoresistive device having good characteristics can be manufactured.

Un dispositivo magnetoresistente di traforo contiene uno strato di sbarramento isolante ed almeno due strati ferromagnetici forniti sullo stesso piano dello strato. Lo strato di sbarramento isolante può inizialmente essere formato, di modo che quando uno strato del metallo è ossidato per formare lo strato di sbarramento isolante, è inutile pagare la cura all'influenza di ossidazione sugli strati ferromagnetici. Lo strato di sbarramento isolante può essere formato nel grande spessore, quindi sopprimente defects, quali i fori di spillo, dall'avvenimento. Quindi, un dispositivo magnetoresistente di traforo che ha buone caratteristiche può essere manufactured.