A method for fabricating a microelectronic fabrication provides for forming a patterned conductor layer into a via defined by a pair of dielectric layers. Within the method, the via is plasma treated prior to forming therein the patterned conductor layer with at least one of: (1) an argon containing plasma with each of a radio frequency source power density and a radio frequency bias power density of less than about 300 watts; and (2) a hydrogen containing plasma with a radio frequency source power of greater than about 400 watts and a radio frequency bias power density of greater than about 100 watts.

Eine Methode für das Fabrizieren einer Mikroelektronischen Herstellung stellt für die Formung einer patterned Leiterschicht in a über definiert durch ein Paar dielektrische Schichten zur Verfügung. Innerhalb der Methode über ist das Plasma, das vor die patterned Leiterschicht darin bilden mit einem mindestens von behandelt wird: (1) ein Argon, das Plasma mit jeder einer Hochfrequenzquellenergiedichte und der Hochfrequenzvorspannung Energiedichte von kleiner als ungefähr 300 Watt enthält; und (2) ein Wasserstoff, der Plasma mit einer Hochfrequenzquellenergie von grösser als ungefähr 400 Watt und von Hochfrequenzvorspannung Energiedichte von grösser als ungefähr 100 Watt enthält.