A memory which is capable of reconfiguration between a first mode in which each storage cell is capable of storing a pair of data bits and a second mode in which each storage cell is capable of storing a single data. A memory according to the present teachings includes a storage cell having a first structure and a second structure each capable of a storage state and mechanisms for reconfiguring the memory between a first mode in which the storage states of the first and second structures indicate a first and a second data bit, respectively, and a second mode in which the storage states combine to indicate a data bit.

Память способно повторного перехода между первым режимом в каждая клетка хранения способна хранить пара битов информации и второй режим в каждая клетка хранения способна хранить одиночные данные. Память согласно присытствыющим преподавательствам вклюает клетку хранения имея первую структуру и вторую структуру каждое способное положения и механизмов хранения для заново скомпоновать память между первым режимом в положения хранения первых и вторых структур показывают первое и второй битом информации, соответственно, и вторым режимом в котором положения хранения совмещают для того чтобы показать бит информации.

 
Web www.patentalert.com

< Resistive cross point memory cell arrays having a cross-couple latch sense amplifier

< Magnetic systems with irreversible characteristics and a method of manufacturing and repairing and operating such systems

> Vector kerr magnetometry

> Multi-function serial I/O circuit

~ 00094