A method of fabricating a silicon power semiconductor with a stop zone includes forming a stop zone by driving oxygen into a semiconductor substrate in a targeted manner and subsequently heating the oxygen with the semiconductor substrate to form thermal donors, and producing, at or near a surface of the semiconductor substrate, an increased oxygen concentration in comparison with other semiconductor regions by ion implantation.

Un metodo di fabbricare un semiconduttore di alimentazione del silicone con una zona di arresto include formare una zona di arresto guidando l'ossigeno in un substrato a semiconduttore in un modo designato e successivamente riscaldando l'ossigeno con il substrato a semiconduttore per formare i donatori termici e producendo, nei pressi o in una superficie del substrato a semiconduttore, un tenore in ossigeno aumentato in paragone ad altre regioni a semiconduttore tramite impianto di ione.