In one illustrative embodiment, the method comprises initiating a develop process on a layer of photoresist formed above a wafer, indicating an endpoint of the develop process, determining a duration of the endpoint develop process, and determining if the determined duration of the develop process is not within a preselected range. In another aspect, the present invention is directed to a system that comprises a develop station for performing a develop process on a layer of photoresist formed above a wafer, a develop endpoint detector for indicating an endpoint of the develop process, and a controller for determining if a duration of the develop process is not within a preselected range.

In einer illustrativen Verkörperung enthält die Methode das Einleiten eines Entwickelprozesses auf einer Schicht Photoresist gebildet über einer Oblate und zeigt einen Endpunkt des Entwickelprozesses an, eine Dauer des Endpunkts feststellend entwickeln Sie Prozeß und die Bestimmung, wenn die entschlossene Dauer des Entwickelprozesses nicht innerhalb eines vorgewählten Bereiches ist. In einem anderen Aspekt wird die anwesende Erfindung auf ein System verwiesen, das eine Entwickelstation für das Durchführen eines Entwickelprozesses auf einer Schicht Photoresist gebildet über einer Oblate, einem Entwickelendpunktdetektor für die Anzeige eines Endpunkts des Entwickelprozesses und einem Steuerpult für die Bestimmung enthält, wenn eine Dauer des Entwickelprozesses nicht innerhalb eines vorgewählten Bereiches ist.