A semiconductor device having a memory cell including first and second load transistors, first and second driver transistors, and first and second transfer transistors. The semiconductor device includes a first gate-gate electrode layer and a first drain-gate wiring layer. A distance L1 between the edges of the first drain-gate wiring layer and an active region of the first driver transistor is greater than or equal to a distance L2 between the first drain-gate wiring layer and an active region of the first load transistor. This structure provides semiconductor devices in which memory cells having desired characteristics can be readily fabricated. The invention also provides memory systems and electronic apparatuses which include the above semiconductor devices.

Прибора на полупроводниках имея ячейкы памяти включая сперва и вторые транзисторы нагрузки, сперва и вторые транзисторы водителя, и сперва и во-вторых транзисторы перехода. Прибора на полупроводниках вклюает первый слой электрода строб-stroba и первый слой проводки стекать-stroba. Расстояние L1 между краями первого слоя проводки стекать-stroba и активно зоной первого транзистора водителя greater than or equal to расстояние L2 между первым слоем проводки стекать-stroba и активно зоной первого транзистора нагрузки. Эта структура обеспечивает прибора на полупроводниках в ячейкы памяти характеристики можно готово изготовить. Вымысел также обеспечивает системы памяти и электронные приборы вклюают вышеуказанные прибора на полупроводниках.