A method of forming a semiconductor device wherein treatment gate insulating layer is formed such that its edges extend beyond edges of a gate electrode. Specifically, the method includes the steps of forming a non-single crystalline semiconductor layer on an insulating surface, forming a gate electrode on the semiconductor layer with a gate insulating layer formed therebetween, doping portions of the semiconductor layer with an impurity to form source and drain regions, and exposing the doped portions with light to crystallize the portions and activate the dopant. Since the gate electrode extends beyond the edges of the gate electrode, the doping of the portions of the semiconductor layer and the exposure to light irradiation is carried out through a part of the gate insulating layer.

Eine Methode der Formung eines Halbleiterelements, worin Isolierschicht des Behandlunggatters so gebildet wird, daß seine Ränder über Rändern einer Gate-Elektrode hinaus verlängern. Spezifisch schließt die Methode die Schritte der Formung einer nicht-einzelnen kristallenen Halbleiterschicht auf einer isolierenden Oberfläche ein, bildet eine Gate-Elektrode auf der Halbleiterschicht mit einer gebildeten Isolierschicht des Gatters, therebetween, lackiert Teile der Halbleiterschicht mit einer Verunreinigung, um Quelle zu bilden und Regionen abzulassen, und stellt die lackierten Teile mit Licht, um die Teile zu kristallisieren und den Dopant zu aktivieren heraus. Da die Gate-Elektrode über den Rändern der Gate-Elektrode hinaus verlängert, wird das Lackieren der Teile der Halbleiterschicht und der Aussetzung zur Lichteinstrahlung durch ein Teil der Isolierschicht des Gatters durchgeführt.