A reliable, inexpensive "back side" thinning process, capable of globally thinning an integrated circuit die to a target thickness of 10 microns, and maintaining a yield of at least 80%, for chip repair and/or failure analysis of the packaged die. The flip-chip packaged die is exposed at its backside and mounted on a lapping machine with the backside exposed. The thickness of the die is measured at at least five locations on the die. The lapping machine grinds the exposed surface of the die to a thickness somewhat greater than the target thickness. The exposed surface of the die is polished. The thickness of the die is again measured optically with high accuracy. Based on the thickness data collected, appropriate machine operating parameters for further grinding and polishing of the exposed surface are determined. Further grinding and polishing are performed. These steps are repeated until the target thickness is reached.

Ein zuverlässiger, billiger verdünnender Prozeß "der Rückseite", ein fähig einen Schaltungwürfel global zu verdünnen zu einer Zielstärke von 10 Mikrons und zum Beibehalten eines Ergebnisses 80% mindestens, für Spanreparatur und/oder Ausfallanalyse des verpackten Würfels. Der Leicht schlagenspan verpackte Würfel wird an seiner Rückseite herausgestellt und angebracht an einer Läppmaschine mit der herausgestellten worden Rückseite. Die Stärke des Würfels wird an mindestens fünf Positionen auf dem Würfel gemessen. Die Läppmaschine reibt die herausgestellte Oberfläche des Würfels zu einer Stärke ein wenig grösser als die Zielstärke. Die herausgestellte Oberfläche des Würfels wird poliert. Die Stärke des Würfels wird wieder optisch mit hoher Genauigkeit gemessen. Gegründet auf den gesammelten Stärke Daten, passende Maschine werden Betriebsparameter für das weitere Reiben und das Polieren der herausgestellten Oberfläche festgestellt. Das weitere Reiben und das Polieren werden durchgeführt. Diese Schritte werden wiederholt, bis die Zielstärke erreicht ist.