An apparatus for forming at least one layer of substantially homogenous material on a substrate comprising: a processing chamber having a substrate support system on which is disposed a wafer; an energy source for providing thermal or a-thermal energy to the chamber; a source of reactants for the chamber; and a "smart controller" connected to the chamber for "real-time" control of the energy sources and the reactant sources. Additionally a method for forming at least one layer of substantially homogenous material layer on a substrate, comprising: in-situ cleaning of the substrate by selectively using appropriate amounts of thermal, sonic, optical and plasma energy while comparing actual surface topography of the substrate with an expected surface topography via said "smart controller".

Ein Apparat für die Formung mindestens von von einer Schicht im wesentlichen homogenous Material auf einem Substratenthalten: ein verarbeitenraum, der ein Substratunterstützungssystem hat, auf dem wird einer Oblate abgeschaffen; eine Energiequelle für das Zur Verfügung stellen der thermischen oder ein-thermischen Energie zum Raum; eine Quelle der Reaktionsmittel für den Raum; und ein "intelligenter Steuerpult" angeschlossen an den Raum "zur Realzeit" Steuerung der Energiequellen und der Reaktionsmittelquellen. Zusätzlich eine Methode für die Formung mindestens von von einer Schicht der im wesentlichen homogenous materiellen Schicht auf einem Substrat, enthalten: in-situreinigung des Substrates, durch passende Mengen der thermischer, sonic, optischer und Plasmaenergie beim Vergleichen der tatsächlichen Oberflächentopographie des Substrates selektiv verwenden mit einer erwarteten Oberflächentopographie über besagten "intelligenten Steuerpult".