A Si.sub.1-x Ge.sub.x layer 111b functioning as the base composed of an i-Si.sub.1-x Ge.sub.x layer and a p.sup.+ Si.sub.1-x Ge.sub.x layer is formed on a collector layer 102, and a Si cap layer 111a as the emitter is formed on the p.sup.+ Si.sub.1-x Ge.sub.x layer. An emitter lead electrode 129, which is composed of an n.sup.- polysilicon layer 129b containing phosphorus in a concentration equal to or lower than the solid-solubility limit for single-crystal silicon and a n.sup.+ polysilicon layer 129a containing phosphorus in a high concentration, is formed on the Si cap layer 111a in a base opening 118. The impurity concentration distribution in the base layer is properly maintained by suppressing the Si cap layer 111a from being doped with phosphorus (P) in an excessively high concentration. The upper portion of the Si cap layer 111a may contain a p-type impurity. The p-type impurity concentration distribution in the base layer of an NPN bipolar transistor is thus properly maintained.

Слой 111b Si.sub.1-x Ge.sub.x действуя по мере того как основание составленное слоя i-Si.sub.1-x Ge.sub.x и слоя p.sup.+ Si.sub.1-x Ge.sub.x сформировано на слое 102 сборника, и слой 111a крышки кремния по мере того как излучатель сформирован на слое p.sup.+ Si.sub.1-x Ge.sub.x. Электрод 129 руководства излучателя, которому составляет n.sup. - слоя 129b polysilicon содержа фосфор в концентрации равной к или более низкой чем предел тверд-rastvorimosti для кремния одиночн-kristalla и polysilicon n.sup.+ наслаивает 129a содержа фосфор в высокой концентрации, сформирован на слое 111a крышки кремния в низкопробном отверстии 118. Распределение концентрации примеси в низкопробном слое правильн поддержано путем подавлять слой 111a крышки кремния от быть данным допинг с фосфором (P) в чрезмерно высокой концентрации. Верхняя часть слоя 111a крышки кремния может содержать примесь п-tipa. Распределение концентрации примеси п-tipa в низкопробном слое транзистора NPN двухполярного таким образом правильн поддержано.