Thermal processing unit sections each with ten tiers and coating processing unit sections each with five tiers are disposed around a first main wafer transfer section and a second main wafer transfer section, and in the thermal processing unit section, the influence of the time required for substrate temperature regulation processing on a drop in throughput can be reduced greatly by transferring the wafer W while the temperature of the wafer W is being regulated by a temperature regulation and transfer device.

Thermische Verarbeitung Maßeinheit unterteilt jedes mit 10 Reihen und beschichtende Verarbeitung Maßeinheit Abschnitte jeder mit fünf Reihen werden um einen ersten Hauptoblateübergangsabschnitt und einen zweiten Hauptoblateübergangsabschnitt abgeschaffen, und im thermischen Verarbeitung Maßeinheit Abschnitt, kann der Einfluß der Zeit, die für die Substrattemperaturregelung verarbeitet auf einen Tropfen des Durchsatzes erfordert wird, durch das Bringen der Oblate W groß verringert werden, während die Temperatur der Oblate W durch eine Temperaturregelung und -übergangsvorrichtung reguliert wird.