A optoelectronic module comprises one or more VCSELs electrically connected to an IC and optically connected to a fiber optic faceplate. The fiber optic faceplate, comprising a closely packed bundle of optical fibers, permits efficient capture of light from the VCSELs. Precise alignment of the faceplate with respect to the VCSELs is not needed since light not collected by one fiber is captured by another nearby optical fiber. One method of fabricating the module comprises forming substrate layers on both sides of the VCSELs such that features can be formed on the first substrate layer while the second temporary substrate layer provides structural support. The method further comprises forming apertures on the first substrate layer by etching. An etch stop buffer layer positioned between the first substrate layer and the VCSELs protects the VCSELs from being etched in the process. The second temporary substrate layer is removed after the fiber optic faceplate is mounted on the first substrate side. An alternate method of VCSEL fabrication comprises forming an aperture by patterning a dielectric layer above an active layer within the VCSEL. The aperture in the dielectric layer can be formed with a high degree of precisely using conventional patterning techniques. The dielectric layer is part of a current confinement element that concentrates current in an active region. A top DBR can also be formed of multiple layers of dielectric.

Een optoelectronic module bestaat uit één of meerdere VCSELs die elektrisch met IC wordt verbonden en die optisch met een vezel optisch draagvlak wordt verbonden. Het vezel optische draagvlak, dat uit een dicht ingepakte bundel van optische vezels bestaat, laat efficiënt toe vangt van licht van VCSELs. De nauwkeurige groepering van het draagvlak met betrekking tot VCSELs is niet nodig aangezien licht niet dat door één vezel wordt het verzameld door een andere nabijgelegen optische vezel wordt gevangen. Één methode om de module te vervaardigen bestaat uit het vormen van substraatlagen aan beide kanten van VCSELs dusdanig dat de eigenschappen op de eerste substraatlaag kunnen worden gevormd terwijl de tweede tijdelijke substraatlaag structurele steun verleent. De methode bestaat verder uit het vormen van openingen op de eerste substraatlaag door ets. Ets de laag van de eindebuffer die tussen de eerste substraatlaag wordt geplaatst en VCSELs beschermt VCSELs tegen wordt geëtst in het proces. De tweede tijdelijke substraatlaag wordt verwijderd nadat het vezel optische draagvlak aan de eerste substraatkant wordt opgezet. Een afwisselende methode van vervaardiging VCSEL bestaat uit het vormen van een opening door een diëlektrische laag boven een actieve laag binnen VCSEL te vormen. De opening in de diëlektrische laag kan met een hoge graad worden gevormd van precies het gebruiken van conventionele het vormen technieken. De diëlektrische laag maakt deel uit van een huidig beperkingselement dat stroom in een actief gebied concentreert. Een hoogste DBR kan ook van veelvoudige lagen van diëlektrisch worden gevormd.