In a manufacturing method of an active matrix type liquid crystal display device, a semiconductor device having good TFT characteristics is realized. LDD regions of a driver circuit NTFT and LDD regions of a pixel section NTFT are given different impurity concentration. An impurity is doped at differing concentrations using a mask. Thus a liquid crystal display device provided with a driver circuit having high speed operation and a pixel section with high reliability can be obtained.

In een productiemethode van een actief matrijstype van de vloeibare apparaat kristalvertoning, wordt een halfgeleiderapparaat dat goede kenmerken TFT heeft gerealiseerd. De gebieden LDD van de gebieden NTFT en LDD van een bestuurderskring van een pixelsectie NTFT worden gegeven verschillende onzuiverheidsconcentratie. Een onzuiverheid wordt gesmeerd bij verschillende concentraties gebruikend een masker. Aldus kunnen een apparaat van de vloeibare kristalvertoning die van een bestuurderskring wordt voorzien die hoge snelheidsverrichting heeft en een pixelsectie met hoge betrouwbaarheid worden verkregen.