A light emitting device includes a silicon substrate (1), a silicon nitride film (2) formed on the surface of the silicon substrate (1), at least an n-type layer (3), (4) and a p-type layer (6), (7) which are formed on the silicon nitride film (2) and also which are made of a ZnO based compound semiconductor, and a semiconductor layer lamination (11) in which layers are laminated to form a light emitting layer. Preferably this silicon nitride film (2) is formed by thermal treatment conducted in an atmosphere containing nitrogen such as an ammonium gas. Also, in another embodiment, a light emitting device is formed by growing a ZnO based compound semiconductor layer on a main face of a sapphire substrate, the main face being perpendicular to the C-face thereof. As a result, it is possible to obtain a device using a ZnO based compound with high properties such as an LED very excellent in crystallinity and having a high light emitting efficiency.

Светлое испуская приспособление вклюает субстрат кремния (1), пленка нитрида кремния (2) сформированная на поверхности субстрата кремния (1), по крайней мере слой н-tipa (3), (4) и слой п-tipa (6), (7) которое сформированы на пленке нитрида кремния (2) и также который сделаны полупроводника основанного ZnO составного, и слоение слоя полупроводника (11) в котором слои прокатаны для того чтобы сформировать светлый испуская слой. Предпочтительн эта пленка нитрида кремния (2) сформирована термально обработкой дирижированной в атмосфере содержа азот such as газ аммония. Также, в другом воплощении, светлое испуская приспособление сформировано путем расти основанный ZnO слой составного полупроводника на главной стороне субстрата сапфира, главной стороны перпендикулярно к Ч-storone thereof. В результате, по возможности получить приспособление использующ смесь основанную ZnO с высокими свойствами such as led очень превосходный в кристалличности и имеющ высокий свет испустить эффективность.