In one embodiment, the invention includes first and second transmission lines fabricated in a redistribution layer over a semiconductor die. The first transmission line has a first distance from a first ground return path formed in a first metal level. The first transmission line has a first impedance corresponding to the first distance. In other words, the impedance of the first transmission line is affected by the distance between the first transmission line and the first ground return path. Similar to the first transmission line, the second transmission line has a second distance from a second ground return path formed in a second metal level. The second transmission line has a second impedance corresponding to the second distance. In other words, the impedance of the second transmission line is affected by the distance between the second transmission line and the second ground return path.

Dans une incorporation, l'invention inclut d'abord et les deuxièmes lignes de transmission fabriquées dans une couche de redistribution au-dessus d'un semi-conducteur meurent. La première ligne de transmission a une première distance d'un chemin de retour de la première terre formé dans un premier niveau du métal. La première ligne de transmission a une première impédance correspondre à la première distance. En d'autres termes, l'impédance de la première ligne de transmission est affectée par la distance entre la première ligne de transmission et le chemin de retour de la première terre. Semblable à la première ligne de transmission, la deuxième ligne de transmission a une deuxième distance d'un chemin de retour de la deuxième terre formé dans un deuxième niveau du métal. La deuxième ligne de transmission a une deuxième impédance correspondre à la deuxième distance. En d'autres termes, l'impédance de la deuxième ligne de transmission est affectée par la distance entre la deuxième ligne de transmission et le chemin de retour de la deuxième terre.