An active matrix organic light emitting diode (OLED) display includes a substrate; a thin-film transistor (TFT) layer formed on the substrate; a layer defining a periodic grating structure; a first electrode layer formed over the grating structure and conforming to the grating structure; an OLED material layer formed over the first electrode layer and conforming to the grating structure; and a second electrode layer formed over the OLED material layer and conforming to the grating structure, wherein the first and/or second electrode layers are metallic layers, whereby the periodic grating structure induces surface plasmon cross coupling in the metallic electrode layer(s).

Uma exposição emitindo-se clara orgânica do diodo da matriz ativa (OLED) inclui uma carcaça; uma camada thin-film do transistor (TFT) deu forma na carcaça; uma camada que define uma estrutura grating periódica; uma primeira camada do elétrodo deu forma sobre a estrutura grating e conformar-se à estrutura grating; uma camada material de OLED deu forma ao excesso a primeira camada do elétrodo e conformar-se à estrutura grating; e uma segunda camada do elétrodo deu forma sobre a camada material de OLED e conformar-se à estrutura grating, wherein as primeiras e/ou segundas camadas do elétrodo são camadas metálicas, por meio de que a estrutura grating periódica induz o acoplamento de superfície da cruz do plasmon no layer(s) metálico do elétrodo.