The invention provides a magnetoresistive element in which the pinned magnetic layer includes at least one non-magnetic film and magnetic films sandwiching that non-magnetic film, and the magnetic films are coupled with one another by magnetostatic coupling via the non-magnetic film. This element has an improved thermal resistance. Furthermore, the invention provides a magnetoresistive element in which the pinned magnetic layer is as described above. The magnetic films can be coupled with one another by magnetostatic coupling or antiferromagnetic coupling generating negative magnetic coupling. In this element, the magnetic field shift is reduced. Furthermore, the invention provides a magnetoresistive element in which at least one of the magnetic layers sandwiching the intermediate layer includes an oxide ferrite having a plane orientation with a (100), (110) or (111) plane. A magnetic field is introduced in a direction of the axis of easy magnetization in the plane. This oxide can be formed by sputtering with an oxide target while applying a bias voltage to a substrate including a plane on which the oxide ferrite is to be formed so as to adjust the amount of oxygen supplied to the oxide ferrite from the target.

La invención proporciona un elemento magnetoresistente en el cual la capa magnética fijada incluya por lo menos una película no magnética y las películas magnéticas que intercalan esa película no magnética, y las películas magnéticas son juntadas el uno con el otro por el acoplador magnetostático vía la película no magnética. Este elemento tiene una resistencia termal mejorada. Además, la invención proporciona un elemento magnetoresistente en el cual la capa magnética fijada esté según lo descrito arriba. Las películas magnéticas se pueden juntar el uno con el otro por el acoplador magnetostático o el acoplador antiferromagnetic que genera el acoplador magnético negativo. En este elemento, se reduce la cambio del campo magnético. Además, la invención proporciona un elemento magnetoresistente en el cual por lo menos una de las capas magnéticas que intercalan la capa intermedia incluya una ferrita del óxido que tiene una orientación plana con a (100), (110) o el plano (de 111). Un campo magnético se introduce en una dirección del eje de la magnetización fácil en el plano. Este óxido puede ser formado farfullando con una blanco del óxido mientras que aplicaba un voltaje de polarización a un substrato incluyendo un plano en el cual la ferrita del óxido debe ser formada para ajustar la cantidad de oxígeno proveió a la ferrita del óxido de la blanco.