A method and system for providing and using a magnetic memory including magnetic memory cells is disclosed. The method and system include providing a magnetic tunneling junction including a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer and an insulating layer between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer. The magnetic memory cell is coupled to a merged word line and a bit line. The merged word line selects the magnetic memory cell during a reading and carries a write current for the magnetic memory cell during writing. The bit line provides current to the magnetic memory cell during the reading and the writing. The currents provided by the bit line and the merged word line during writing allow data to be written to the magnetic memory cell.

Μια μέθοδος και ένα σύστημα για και μια μαγνητική μνήμη συμπεριλαμβανομένων των μαγνητικών κυττάρων μνήμης αποκαλύπτονται. Η μέθοδος και το σύστημα περιλαμβάνουν την παροχή μιας μαγνητικής ανοίγοντας σύνδεσης συμπεριλαμβανομένου ενός πρώτου σιδηρομαγνητικού στρώματος, ενός δεύτερου σιδηρομαγνητικού στρώματος και ενός στρώματος μόνωσης μεταξύ του πρώτου σιδηρομαγνητικού στρώματος και του δεύτερου σιδηρομαγνητικού στρώματος. Το μαγνητικό κύτταρο μνήμης συνδέεται με μια συγχωνευμένη γραμμή λέξης και μια γραμμή κομματιών. Η συγχωνευμένη γραμμή λέξης επιλέγει το μαγνητικό κύτταρο μνήμης κατά τη διάρκεια μιας ανάγνωσης και φέρνει γράφει το ρεύμα για το μαγνητικό κύτταρο μνήμης κατά τη διάρκεια του γραψίματος. Η γραμμή κομματιών παρέχει το ρεύμα στο μαγνητικό κύτταρο μνήμης κατά τη διάρκεια της ανάγνωσης και του γραψίματος. Τα ρεύματα που παρέχονται από τη γραμμή κομματιών και τη συγχωνευμένη γραμμή λέξης κατά τη διάρκεια του γραψίματος επιτρέπουν στα στοιχεία για να γραφτούν στο μαγνητικό κύτταρο μνήμης.