When a laminated semiconductor portion of nitride based compound
semiconductor is formed so as to constitute a portion forming a light
emitting layer forming portion on a sapphire substrate, the sapphire
substrate has an off orientation angle having a tilt relative to an A axis
or a M axis in such a way that
0.2.degree..ltoreq..theta.={.theta..sub.a.sup.2 +.theta..sub.m.sup.2
}.sup.1/2.ltoreq.0.3.degree., wherein
0.degree..ltoreq..theta..sub.a.ltoreq.0.3.degree.,
0.degree..ltoreq..theta..sub.m.ltoreq.0.3.degree., when taking the angle
tilted relative to the A axis as .theta..sub.a and to the M axis as
.theta..sub.m, and the foregoing nitride based compound semiconductor
layers are laminated onto the surface of the off-oriented C plane.
Therefore, it is possible to attain a semiconductor light emitting device
having the superior characteristic of light emitting by growing the
nitride based compound semiconductor on a sapphire substrate with the
degree of flatness high and furthermore to attain a semiconductor laser of
a small threshold current by forming a cleavage surface finely while
improving the degree of flatness by off-orienting a sapphire substrate.
Quand une partie stratifiée de semi-conducteur de semi-conducteur composé basé par nitrure est formée afin de constituer une partie formant une couche d'émission mince formant la partie sur un substrat de saphir, le substrat de saphir a au loin un angle d'orientation avoir une inclinaison relativement à un axe de A ou à un axe de M de telle manière que 0.2.degree..ltoreq..theta.={.theta..sub.a.sup.2 +.theta..sub.m.sup.2}.sup.1/2.ltoreq.0.3.degree., où 0.degree..ltoreq..theta..sub.a.ltoreq.0.3.degree., 0.degree..ltoreq..theta..sub.m.ltoreq.0.3.degree., en prenant l'angle incliné relativement à l'axe de A comme theta..sub.a et à l'axe de M comme theta..sub.m, et les couches basées par nitrure antérieure de semi-conducteur composé sont stratifiés sur la surface de l'avion au loin-orienté de C. Par conséquent, il est possible d'atteindre un dispositif d'émission léger de semi-conducteur ayant la caractéristique supérieure de la lumière émettre en accroissant le semi-conducteur composé basé par nitrure sur un substrat de saphir avec le degré de planéité haut et en outre pour atteindre un laser de semi-conducteur d'un petit courant de seuil en formant une surface de fendage finement tout en améliorant le degré de planéité au loin-en orientant un substrat de saphir.
